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Series M-RES 2000

Das berührungslose Widerstandsmesssystem mit advanced Wirbelstrom-Technologie für alle Anwendungen in der Halbleiterfertigung. Die Systeme werden mit einem Messbereich über 6 Dekaden geliefert. Abhängig von der jeweiligen Anwendung wird der Messbereich beginnend bei mOhm/sq entsprechend bis auf ca 100 Ohm/sq oder auch auf einen Messbereich von 0,1 Ohm/sq bis ca 10 kOhm/sq ausgelegt.
Die berührungslosen Widerstandsmesssysteme der Modellreihe M-RES 2000 sind in unterschiedlichen Systemkonfigurationen verfügbar. Es lassen sich Proben mit einer Dicke bis zu 1.000µm messen. Die Wiederholgenauigkeit variiert über den Messbereich ab <0,1%.
Gleichzeitig mit der Widerstandsmessung wird auch die Waferdicke mit Hilfe eine kapazitiven Messmethode gemessen. Diese zusätzlichen Daten zum gemessenen Wafer werden genutzt, um den Messwert der Wirbelstrom-Messung automatisch zu korrigieren.
Die Systeme sind zur Messung von Wafern mit Durchmessern von 2" bis 300mm geeignet. Mit Hilfe von Adaptern lassen sich auch Probenstücke messen.

Die Systeme sind in unterschiedlichen Ausführungen verfügbar.

Die Modelle M-RES 2xxx sind manuell arbeitende Systeme bei denen der Wafer auf den Wafer-Shuttle gelegt und dann mit Hilfe des Griffes zur Messposition geführt wird.
Die Anwendung dieser Systeme ist z.B. in der Qualitätskontrolle oder in Entwicklung.
 

 


Die Modelle M-RES 2xxxM sind semiautomatisch arbeitende Systeme. Der Wafer wird auf den Wafer-Shuttle gelegt. Die Widerstandsmessung wird mit dem zuvor eingerichteten Messplan ausgeführt. Bei entsprechender Gestaltung des Messplanes ergibt sich ein aussagekräftiges Bild über die Widerstandsverteilung der Probe.
Die Anwendung dieser Systeme ist z.B. in der Prozess-Entwicklung von EPI-, Implant-, Metallisierungs- und anderen Dünnschicht-Prozessen leitfähiger Schichten oder der Fertigungsüberwachung der Prozesse.

 

 

Die Modelle M-RES 2xxxM-AL sind automatisch arbeitende Systeme. Die Wafer werden entsprechend eines Rezeptes aus der Horde genommen und automatisch gemessen. Nach der Messung werden die Wafer wieder in der Horde abgelegt.
Die Anwendung dieser Systeme ist z.B. in der Prozess-Entwicklung von EPI-, Implant-, Metallisierungs- und anderen Dünnschicht-Prozessen leitfähiger Schichten oder der Fertigungsüberwachung der Prozesse.
 

 








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